

國家第三代半導體技術創新中心(蘇州)研發與產業化基地工程位于蘇州納米城B2地塊。
蘇州城東,獨墅湖畔,一場圍繞微觀世界的宏大產業敘事正澎湃展開。
作為中國改革開放的重要窗口,蘇州工業園區將視野投向決定未來競爭高度的核心領域——半導體產業,以近20年的精耕細作,構建起從設計、制造到封測、材料設備的完整產業鏈,成為我國半導體產業資源集聚度最高、產業化程度最好的區域之一。
蘇州納米城是蘇州工業園區納米技術應用產業的主陣地,也是半導體產業發展的核心載體。近年來,蘇州納米城大力聚焦第三代半導體領域,培育了晶湛半導體、東微半導體、度亙核芯、納維科技、秋水半導體、蘇納光電、微玖光電等一批細分領域的領軍企業,在高質量GaN襯底材料、大尺寸硅基外延技術、高功率密度芯片工藝、微波和電力電子器件、新型顯示等領域形成了明顯的技術領先態勢,躋身“第三代半導體最具競爭力產業園區”榜首,連續數年登榜“中國十大集成電路高質量發展優秀園區”。
“還記得剛來的時候,這里還是一片蘆葦蕩,如今郁郁蔥蔥的產業森林已拔地而起。”蘇州納米科技發展有限公司董事長張淑梅的感慨,將這片土地的起點與變遷娓娓道來。其發展脈絡,清晰映射出中國在新一代半導體領域從追趕到領跑的奮進征程。
前瞻布局
播撒創新種子孕育千億產業森林
時值初冬,蘇州納米城研發樓外暖陽輕撫,樓側的潔凈廠房則處于嚴格的恒溫恒濕管控之下。實驗區域內,技術人員身著標準藍色無塵服,通過隔離手套窗全神貫注地開展設備操作;掃描電鏡下,芯片晶圓表面的納米級電路紋路清晰可辨,結構精密如微縮城區。這一幕幕,猶如龐大產業網絡中的一個精密節點,在無聲中為蘇州工業園區的半導體脈搏提供著動力。
眼前的生動與繁榮,始于一場世紀初的前瞻布局。第三代半導體,作為支撐未來能源革命與通信變革的基石,早在彼時就已進入園區的戰略視野。2005年,園區已被認定為首批國家集成電路產業園,在電子信息制造領域站穩腳跟。為謀求更高維度的產業轉型,園區攜手中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所,將籌碼押注于當時尚處萌芽階段的納米技術應用產業。
2010年,園區在全國率先將納米技術應用列為戰略性新興產業,而2013年正式投用的蘇州納米城,則從此以十年如一日的恒心,肩負起平臺搭建、生態培育的多重使命,將以第三代半導體為核心的先進半導體鎖定為重點攻堅賽道。
作為最早入駐蘇州納米城的企業之一,晶湛半導體是這條奮進之路上的典型代表。今年,其基于ZDP平臺驗證的FullColorGaN?全彩系列第二代外延片正式發布,為Micro-LED等前沿顯示領域帶來了破局曙光。“我們從滿足AR/MR系統要求,到如今能快速驗證并加速產品迭代,關鍵就在材料平臺的持續升級。”蘇州晶湛半導體有限公司董事長程凱介紹。
扎根蘇州納米城十余年,晶湛半導體聚焦氮化鎵外延片,成功突破12英寸硅基氮化鎵外延技術,填補我國氮化鎵產業空白,成長為全球唯一可供應300mm硅基氮化鎵外延產品的廠商。今年,晶湛半導體與東微半導體達成戰略合作,共同推進12英寸氮化鎵技術與產品的研發與應用,旨在發揮產業鏈上下游強強聯合的效果,為我國氮化鎵產業鏈的完善和提升注入強勁動力。
晶湛半導體的故事并非孤例。在蘇州納米城這片創新沃土上,一條覆蓋“設備輔材—襯底外延—器件—應用”的完整產業鏈已然成型:從納芯微的汽車級芯片,到易纜微的全球首款400Gbps光通信芯片;從歐名欣的高分辨率光刻膠、秋水半導體率先打通8英寸Micro-LED混合鍵合的關鍵技術環節,到邁姆思量產的SOI晶圓……眾多企業在其細分賽道上全力奔跑,共同匯聚成“國產替代”的澎湃聲浪。
產業的真正高度,不僅取決于規模,更在于其體系的深度與完整性。當前,園區半導體產業已形成千億級產業集群,而蘇州納米城正是驅動這一體系的核心引擎。其突出優勢在于構建了深度融合的創新生態——蘇州實驗室、國家第三代半導體技術創新中心(蘇州)等頂尖戰略平臺在此匯聚,形成了從材料研發、器件加工、封裝測試到中小規模量產的公共支撐體系。目前,這里已吸引近百家企業和幾十名國家級重點人才,構建的不僅是一個產業高地,更是一個面向未來、自主可控的“芯”生態系統。
平臺賦能
點亮“燈塔”引擎打通成果轉化航道
在方寸之間雕琢精密電路,離不開精益求精的工匠精神;于有限空間布局未來產業,更需要高瞻遠矚的系統思維與指引航向的“燈塔”。這,正是蘇州工業園區發展半導體產業的關鍵密碼。
這一系統思維的最新注腳,落在了園區東部、吳淞江環繞的桑田科學島上。這里,國家第三代半導體技術創新中心(蘇州)總部基地在如火如荼地建設中,目前,廠房已全面封頂。這項總占地超過5萬平方米的項目,規劃建設了包括科研孵化、潔凈實驗室、配套輔助設施用房,涵蓋材料生長創新、器件工藝與封裝測試、測試分析與服務評價等,涉及長晶、切磨拋、外延、器件、封裝、測試、模塊等第三代半導體全產業鏈,計劃于2027年竣工交付。
自2021年落戶蘇州納米城,這個“國字號”平臺在短短4年內已承擔省級以上重大項目超20項,構建了從材料生長到器件工藝的公共研發平臺體系,形成了支撐全產業鏈的系統能力。作為第三代半導體領域的“創新樞紐”,國創中心(蘇州)承擔著攻克從“1到100”產業共性關鍵技術的使命,助力實驗室成果加速邁向產業化生產線。在今年第十五屆中國國際納米技術產業博覽會上,中心發布的國產化裝備成果,已成為推動新能源汽車、儲能等領域升級的重要力量。
平臺的賦能效應立竿見影。“以前一項關鍵材料測試都要幾經波折,如今在國創中心的測試分析平臺,能以最快的速度拿到精準數據。”蘇州納維科技有限公司研發負責人感慨。平臺共享的千級潔凈實驗室與尖端測試設備,每年能為企業節省近千萬元研發成本。
這種強大的平臺支撐,正催生著顛覆性的創新。在易纜微半導體的實驗室內,一款基于硅光異質集成薄膜鈮酸鋰平臺的400Gbps調制芯片正在接受嚴苛測試。這種材料被譽為“光子芯片的脊梁”,憑借其出眾的電光轉換效率,成為下一代超高速通信的核心戰略材料。易纜微的這款全球首創芯片,專為未來3.2T數據中心光模塊設計,傳輸速率較傳統芯片提升一倍。
“近年來,MEMSRIGHT平臺繼續優化升級,開展了包括化合物半導體材料、鈮酸鋰、PZT等新材料產品的工藝研發、中試、量產服務,對區域乃至全國的產業創新發展提供了重大支撐及促進作用。”蘇州納米科技發展有限公司副董事長、總裁蔡勇介紹道。
從材料生長創新,到器件工藝開發,從器件加工平臺,到鈮酸鋰芯片中試平臺,蘇州納米城已編織出一張覆蓋半導體全產業鏈的公共技術服務網絡。這些平臺如同高效的“創新樞紐”,將高校的前沿研究、科研院所的原始創新與企業的市場需求無縫對接,形成了一個“基礎研究—應用開發—產業轉化”自我強化的良性循環。在這里,宏大的戰略最終化為透射電鏡下的精妙工藝與爭分奪秒的產業效率,共同塑造著中國半導體產業的未來競爭力。
筑巢引鳳
厚植創新沃土構筑全球競爭基座
在半導體這個以“納米”論英雄的行業,一粒微塵就足以讓價值不菲的晶圓瞬間報廢。因此,與其說這里比拼的是技術,不如說首先是一場關于環境純凈度的極致追求。
走進蘇州納米城的標準化潔凈廠房,仿佛進入一個與世隔絕的“絕對領域”。以百級潔凈室Class100為例,在每立方英尺的受控空氣中,粒徑大于等于0.5微米的粒子數量最多不超過100個。溫度波動精度控制在±0.5℃、相對濕度波動不超過±2%,這些嚴苛的環境管控指標,共同構筑了芯片生產制程穩定性與產品良率的第一道生命線。“這里的環境,就是產品質量的起點。”蘇州納米科技發展有限公司副總裁李壽祥說。
極高的靜態標準只是基礎,蘇州納米城廠房的核心競爭力還在于“靈活”與“預見”。廠房采用模塊化設計,百級、千級潔凈等級可靈活分割。更關鍵的是,為滿足第三代半導體工藝對特殊氣體和液體的苛刻需求,廠房在建設時便配置了完善的專業配套設施。
在蘇州納米城B2地塊,這種為高端芯片制造量身定制的理念體現得更為徹底。這里配套齊全,能滿足半導體全產業鏈制造需求,不僅有最高11.8米的層高、22kN/㎡的樓面荷載,VC-B至VC-D級的精密防微震結構,以及完善的冷熱源系統等動力設施,更配備了獨立的110KV變電站,確保電力供應如心臟般穩定搏動。從千級至十萬級潔凈裝修到全覆蓋的工業氣體、純水接口,從同步規劃的動力站到高標準的消防系統,一套完整的基礎設施生態系統已然成型。“常規半導體企業車間建設周期普遍超3年,而蘇州納米城B2地塊憑借完善的基礎設施配套,可大幅壓縮入駐企業建設周期與成本,實現一年內甚至更短時間投產運營。”李壽祥說。
目光投向未來,蘇州納米城的藍圖已然繪就。未來5年,蘇州納米城將在第三代半導體核心材料與關鍵設備領域實現自主可控,培育在全球范圍內有影響力的龍頭企業。支撐這份雄心的,是全國80%氮化鎵領域國家級人才落戶園區的技術底氣,是覆蓋研發投入、人才引進、市場開拓的專項政策,以及旨在攻克關鍵環節的百億級產業基金。
站在新的起點,蘇州納米城的視野投向全球:通過建立海外聯合實驗室、吸引國際頂尖人才、深度參與國際標準制定,在開放合作中提升話語權。“這場競爭是全球性的,我們必須植根本土,同時與世界交流。”張淑梅說。
夜幕低垂,蘇州納米城研發樓實驗室里,研發人員緊盯屏幕調試著新一代材料的參數,每一次細微調整都向著解決關鍵難題更近一步;會議室中,跨領域團隊的思想碰撞激蕩出創新火花,勾勒著產業鏈協同的未來圖景;潔凈廠房內,自動化生產線的低鳴晝夜不息,將納米級的精密構想轉化為驅動產業升級的核心產品……從昔日蘆葦蕩的寂靜,到如今“芯”高地的澎湃,這幅發展畫卷的背后,是蘇州工業園區對前沿賽道的精準把握,是對創新生態的悉心培育,更是中國半導體產業向上突圍的堅定步伐。這片沃土上的每一次突破、每一步前行,都在書寫著中國“芯”力量的成長密碼,也必將為全球半導體產業發展注入更加強勁的中國動能。
作者 樊朝玉
《新華日報》2025年12月29日第6版

